硅材料硅產品清洗超純水設備

　　設備參數：
　　名稱：硅材料硅產品清洗超純水設備
　　型號：zl-gcp001
　　進水口徑：40（mm）
　　產水量：3T/H
　　工作壓力：290（psi）
　　功率：5.5（w）
　　電導率：0.055us/cm
　　脫鹽率：99.9%（%）
　　概述：
　　微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。所以單晶硅/多晶硅/硅材料/太陽能電池硅片、半導體器件生產中必須用超純水，目前制取超純水工藝可分為反滲透+混床超純水設備，二是反滲透+EDI超純水設備，這是兩種制取超純水設備常用的工藝。超純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設備的冷卻水，配制電鍍液等。水中的堿金屬（K、Na等）會使絕緣膜耐壓不良，重金屬（Au、Ag、Cu等）會使PN結耐壓降低，III族元素（B、Al、Ga等）會使N型半導體特性惡化，V族素（P、As、Sb等）會使P型半導體特性惡化，水中細菌高溫碳化后的磷（約占灰分的20%~50%）會使P型硅片上的局部區(qū)域變化為N型硅而導致器件性能變壞。水中的顆粒（包括細菌）如吸附在硅片表面，就會引起電路短路或特性變差。